The etching mask was prepared by etching ZnO:Al film in 1w/w% HF solution and the ion beam etchant is Ar. The roughness is 100 nm for the etching mask and 80 nm for the textured glass substrate. Besides small craters, inhomogeneous hillock structures are

Najlepiej zrobić to HF -em ale to jest "troszkę" toksyczne, można też mieszanianą NaF i jakiegoś kwasy (chyba H2SO4) przypominam sobie że na 1 roku na laborce z nieorganiki coś takiego robiliśmy (reakcja charakterystyczna na fluorki - m

Ozdobić lustro z różą, aby dać jak ślub lub rocznicę obecnej. Etch granicę liści wokół szklanym wazonie, aby dramatyczny pojemnik na specjalne układania kwiatów. Szablon projektu ptaków na uchwycie szkła świec.